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- Una memoria no volátil es reprogramable cuando su contenido se puede variar después de ser programada. El primer dispositivo de memoria no volátil fue propuesto por Kahng y Sze en 1967. Estos dispositivos se basan en la modificación de la carga eléctrica atrapada en la puerta de un transistor mos. Existen varias estructuras para conseguir esto. Las 3 principales se detallan a continuación. (es)
- Una memoria no volátil es reprogramable cuando su contenido se puede variar después de ser programada. El primer dispositivo de memoria no volátil fue propuesto por Kahng y Sze en 1967. Estos dispositivos se basan en la modificación de la carga eléctrica atrapada en la puerta de un transistor mos. Existen varias estructuras para conseguir esto. Las 3 principales se detallan a continuación. (es)
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- Una memoria no volátil es reprogramable cuando su contenido se puede variar después de ser programada. El primer dispositivo de memoria no volátil fue propuesto por Kahng y Sze en 1967. Estos dispositivos se basan en la modificación de la carga eléctrica atrapada en la puerta de un transistor mos. Existen varias estructuras para conseguir esto. Las 3 principales se detallan a continuación. (es)
- Una memoria no volátil es reprogramable cuando su contenido se puede variar después de ser programada. El primer dispositivo de memoria no volátil fue propuesto por Kahng y Sze en 1967. Estos dispositivos se basan en la modificación de la carga eléctrica atrapada en la puerta de un transistor mos. Existen varias estructuras para conseguir esto. Las 3 principales se detallan a continuación. (es)
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- Memoria reprogramable (es)
- Memoria reprogramable (es)
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