Latencia CAS (del inglés column access strobe latency) se refiere a la posición de la columna de memoria física en una matriz (constituida por columnas y filas) de condensadores usados en módulos de memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM). Así, la latencia CAS (CL) es el tiempo (en número de ciclos de reloj) que transcurre entre que el controlador de memoria envía una petición para leer una posición de memoria y el momento en que los datos son enviados a los pines de salida del módulo.

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  • Latencia CAS (del inglés column access strobe latency) se refiere a la posición de la columna de memoria física en una matriz (constituida por columnas y filas) de condensadores usados en módulos de memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM). Así, la latencia CAS (CL) es el tiempo (en número de ciclos de reloj) que transcurre entre que el controlador de memoria envía una petición para leer una posición de memoria y el momento en que los datos son enviados a los pines de salida del módulo. Los datos son almacenados en celdas de memoria individuales, cada uno identificado de manera única por banco de memoria, fila y columna. Para tener acceso al DRAM, los controladores primero seleccionan el banco de memoria, luego una fila (usando el RAS), luego una columna (usando el CAS) y finalmente solicitan leer los datos de la posición física de la celda de memoria. La latencia CAS es el número de ciclos de reloj que transcurren desde que la petición de datos es enviada hasta que los datos son transmitidos desde el módulo. Al seleccionar una tarjeta de memoria RAM, cuanto menor sea la latencia CAS (dada la misma velocidad de reloj), mejor será el rendimiento del sistema. La RAM DDR debería tener una latencia CAS de aproximadamente 3 u, óptimamente, 2 (y más recientemente tan bajo como 1,5). La RAM DDR2 puede tener latencias en los límites de 3 a 5. La comparación entre velocidades de reloj podría resultar engañosa. La latencia CAS sólo especifica el tiempo entre la petición y el primer bit obtenido. La velocidad de reloj especifica la latencia entre bits. Así, leyendo cantidades importantes de datos, una velocidad de reloj más alta puede ser más eficiente en la práctica, incluso con una latencia CAS mayor de 5. Las memorias DDR3, cuyas velocidades de reloj rondan desde los 1.333 MHz a mayores, pasando por 1.600 y 2.000 MHz, tienen CAS que van de 6 a 9 generalmente. Una memoria con CAS 6 y 1.600 MHz tiene normalmente mayor precio que otra con CAS 9 y 1.600 MHz, independientemente de su capacidad (1 o 2 Gb, por ejemplo), esto es normal ya que a igual frecuencia un CAS inferior implica un rendimiento superior. A finales de 2012, el estándar más utilizado es DDR3 a 1600 MhZ, muchos módulos admiten subir la velocidad muy por encima de los 2000 MhZ pero el precio suele dispararse, especialmente considerando que no se suele notar mucha diferencia en el rendimiento. (es)
  • Latencia CAS (del inglés column access strobe latency) se refiere a la posición de la columna de memoria física en una matriz (constituida por columnas y filas) de condensadores usados en módulos de memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM). Así, la latencia CAS (CL) es el tiempo (en número de ciclos de reloj) que transcurre entre que el controlador de memoria envía una petición para leer una posición de memoria y el momento en que los datos son enviados a los pines de salida del módulo. Los datos son almacenados en celdas de memoria individuales, cada uno identificado de manera única por banco de memoria, fila y columna. Para tener acceso al DRAM, los controladores primero seleccionan el banco de memoria, luego una fila (usando el RAS), luego una columna (usando el CAS) y finalmente solicitan leer los datos de la posición física de la celda de memoria. La latencia CAS es el número de ciclos de reloj que transcurren desde que la petición de datos es enviada hasta que los datos son transmitidos desde el módulo. Al seleccionar una tarjeta de memoria RAM, cuanto menor sea la latencia CAS (dada la misma velocidad de reloj), mejor será el rendimiento del sistema. La RAM DDR debería tener una latencia CAS de aproximadamente 3 u, óptimamente, 2 (y más recientemente tan bajo como 1,5). La RAM DDR2 puede tener latencias en los límites de 3 a 5. La comparación entre velocidades de reloj podría resultar engañosa. La latencia CAS sólo especifica el tiempo entre la petición y el primer bit obtenido. La velocidad de reloj especifica la latencia entre bits. Así, leyendo cantidades importantes de datos, una velocidad de reloj más alta puede ser más eficiente en la práctica, incluso con una latencia CAS mayor de 5. Las memorias DDR3, cuyas velocidades de reloj rondan desde los 1.333 MHz a mayores, pasando por 1.600 y 2.000 MHz, tienen CAS que van de 6 a 9 generalmente. Una memoria con CAS 6 y 1.600 MHz tiene normalmente mayor precio que otra con CAS 9 y 1.600 MHz, independientemente de su capacidad (1 o 2 Gb, por ejemplo), esto es normal ya que a igual frecuencia un CAS inferior implica un rendimiento superior. A finales de 2012, el estándar más utilizado es DDR3 a 1600 MhZ, muchos módulos admiten subir la velocidad muy por encima de los 2000 MhZ pero el precio suele dispararse, especialmente considerando que no se suele notar mucha diferencia en el rendimiento. (es)
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  • Latencia CAS (del inglés column access strobe latency) se refiere a la posición de la columna de memoria física en una matriz (constituida por columnas y filas) de condensadores usados en módulos de memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM). Así, la latencia CAS (CL) es el tiempo (en número de ciclos de reloj) que transcurre entre que el controlador de memoria envía una petición para leer una posición de memoria y el momento en que los datos son enviados a los pines de salida del módulo. (es)
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  • Latencia CAS (es)
  • Latencia CAS (es)
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