El Efecto Early, nombrado así en honor a su descubrimiento por , es la variación en el grosor de la región de deplexión (depletion regions) base-colector, en un transistor BJT debido a la variación del voltaje de base a colector. Mientras exista una mayor polarización inversa a través de la unión colector-base la región de deplexión aumentará su tamaño, disminuyendo la cantidad de los portadores de carga en la base. El ensanchamiento de la región de deplexión de la base trae consigo dos consecuencias que afectan directamente a la corriente del colector:

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  • El Efecto Early, nombrado así en honor a su descubrimiento por , es la variación en el grosor de la región de deplexión (depletion regions) base-colector, en un transistor BJT debido a la variación del voltaje de base a colector. Mientras exista una mayor polarización inversa a través de la unión colector-base la región de deplexión aumentará su tamaño, disminuyendo la cantidad de los portadores de carga en la base. En la Figura 1, en la zona P, la base es de color verde y su región de deplexión es la parte verde claro rayada, mientras que en la zona N, el emisor y colector son azules y sus respectivas regiones de deplexión son azules con rayas. Una vez incrementada la polarización inversa entre colector y base, la parte de abajo de la Figura 1 muestra cómo las regiones de deplexión de la base se expanden, así como la capa N del colector. La región de deplexión del colector se expande aún más que la de la base, porque el colector posee menos dopado. El principio que controla estas dos anchuras es la neutralidad de cargas. El cambio en la región de deplexión del colector no es relevante, ya que el colector es mucho más grande que la base. Por el contrario, la unión emisor-base permanece sin cambios debido a que el voltaje emisor-base es el mismo. El ensanchamiento de la región de deplexión de la base trae consigo dos consecuencias que afectan directamente a la corriente del colector: * Hay menor probabilidad de recombinación en la región "pequeña" de la base, puesto que se ha reducido respecto a su tamaño original. * El gradiente de carga se incrementa entre el colector y la base ya que ha aumentado la región de deplexión y, en consecuencia, la corriente de portadores minoritarios inyectados a través de la unión colector-base, , se incrementa. Estos dos factores incrementan la corriente de colector o de salida del transistor, con un incremento en el voltaje de colector. Esta incrementa la corriente mostrada en la Figura 2. Las líneas tangentes a las de corriente de base, a voltajes altos, se extrapolan o alargan hacia atrás hasta tocar el eje X o de voltaje, esta intersección es el Voltaje de Early, normalmente se escribe con el símbolo VA. (es)
  • El Efecto Early, nombrado así en honor a su descubrimiento por , es la variación en el grosor de la región de deplexión (depletion regions) base-colector, en un transistor BJT debido a la variación del voltaje de base a colector. Mientras exista una mayor polarización inversa a través de la unión colector-base la región de deplexión aumentará su tamaño, disminuyendo la cantidad de los portadores de carga en la base. En la Figura 1, en la zona P, la base es de color verde y su región de deplexión es la parte verde claro rayada, mientras que en la zona N, el emisor y colector son azules y sus respectivas regiones de deplexión son azules con rayas. Una vez incrementada la polarización inversa entre colector y base, la parte de abajo de la Figura 1 muestra cómo las regiones de deplexión de la base se expanden, así como la capa N del colector. La región de deplexión del colector se expande aún más que la de la base, porque el colector posee menos dopado. El principio que controla estas dos anchuras es la neutralidad de cargas. El cambio en la región de deplexión del colector no es relevante, ya que el colector es mucho más grande que la base. Por el contrario, la unión emisor-base permanece sin cambios debido a que el voltaje emisor-base es el mismo. El ensanchamiento de la región de deplexión de la base trae consigo dos consecuencias que afectan directamente a la corriente del colector: * Hay menor probabilidad de recombinación en la región "pequeña" de la base, puesto que se ha reducido respecto a su tamaño original. * El gradiente de carga se incrementa entre el colector y la base ya que ha aumentado la región de deplexión y, en consecuencia, la corriente de portadores minoritarios inyectados a través de la unión colector-base, , se incrementa. Estos dos factores incrementan la corriente de colector o de salida del transistor, con un incremento en el voltaje de colector. Esta incrementa la corriente mostrada en la Figura 2. Las líneas tangentes a las de corriente de base, a voltajes altos, se extrapolan o alargan hacia atrás hasta tocar el eje X o de voltaje, esta intersección es el Voltaje de Early, normalmente se escribe con el símbolo VA. (es)
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  • El Efecto Early, nombrado así en honor a su descubrimiento por , es la variación en el grosor de la región de deplexión (depletion regions) base-colector, en un transistor BJT debido a la variación del voltaje de base a colector. Mientras exista una mayor polarización inversa a través de la unión colector-base la región de deplexión aumentará su tamaño, disminuyendo la cantidad de los portadores de carga en la base. El ensanchamiento de la región de deplexión de la base trae consigo dos consecuencias que afectan directamente a la corriente del colector: (es)
  • El Efecto Early, nombrado así en honor a su descubrimiento por , es la variación en el grosor de la región de deplexión (depletion regions) base-colector, en un transistor BJT debido a la variación del voltaje de base a colector. Mientras exista una mayor polarización inversa a través de la unión colector-base la región de deplexión aumentará su tamaño, disminuyendo la cantidad de los portadores de carga en la base. El ensanchamiento de la región de deplexión de la base trae consigo dos consecuencias que afectan directamente a la corriente del colector: (es)
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  • Efecto Early (es)
  • Efecto Early (es)
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