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- En ciencia de materiales, el concepto de atmósfera de Cottrell fue propuesto por los físicos y en 1949 para explicar la razón por la que las dislocaciones quedan ancladas en algunas aleaciones metálicas con defectos intersticiales de carbono o nitrógeno. Aunque el concepto fue introducido para explicar el anclaje de las dislocaciones en aceros, en la actualidad el fenómeno de formación de atmósferas de Cottrell ha sido también observado en multitud de aleaciones que no involucran necesariamente intersticiales de C o N, como serían las atmósferas de arsénico en redes de silicio; hidrógeno en paladio; boro en aleaciones de hierro-aluminio. El fenómeno es en todos casos parecido, pero sus consecuencias –el anclaje de las dislocaciones– no tienen por qué manifestarse de igual modo. En los aceros, el anclaje produce un endurecimiento por deformación prematuro; esto es, antes de que la densidad de dislocaciones sea tal que las interferencias entre ellas producirían su anclaje, el movimiento de éstas se ve impedido por la atmósfera y el flujo plástico queda restringido. En semiconductores de silicio, la atmósfera tiende causar disrupciones en las bandas de conducción que pueden emplearse para favorecer zonas dopadas muy localizadas; en este sentido, se puede aprovechar su formación alrededor de dislocaciones geométricamente necesarias –y, por tanto, predecibles. (es)
- En ciencia de materiales, el concepto de atmósfera de Cottrell fue propuesto por los físicos y en 1949 para explicar la razón por la que las dislocaciones quedan ancladas en algunas aleaciones metálicas con defectos intersticiales de carbono o nitrógeno. Aunque el concepto fue introducido para explicar el anclaje de las dislocaciones en aceros, en la actualidad el fenómeno de formación de atmósferas de Cottrell ha sido también observado en multitud de aleaciones que no involucran necesariamente intersticiales de C o N, como serían las atmósferas de arsénico en redes de silicio; hidrógeno en paladio; boro en aleaciones de hierro-aluminio. El fenómeno es en todos casos parecido, pero sus consecuencias –el anclaje de las dislocaciones– no tienen por qué manifestarse de igual modo. En los aceros, el anclaje produce un endurecimiento por deformación prematuro; esto es, antes de que la densidad de dislocaciones sea tal que las interferencias entre ellas producirían su anclaje, el movimiento de éstas se ve impedido por la atmósfera y el flujo plástico queda restringido. En semiconductores de silicio, la atmósfera tiende causar disrupciones en las bandas de conducción que pueden emplearse para favorecer zonas dopadas muy localizadas; en este sentido, se puede aprovechar su formación alrededor de dislocaciones geométricamente necesarias –y, por tanto, predecibles. (es)
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