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- Un transistor de avalancha es un transistor de unión bipolar diseñado para la operación en su rango característico de colector de corriente/voltaje en colector-emisor , más allá de su voltaje de ruptura llamado región de Esta región caracterizada por el quiebre de avalancha, el cual es un fenómeno similar a la descarga de Townsend para los gases y . La operación en la región de es llamada operación en modo avalancha , esto da a los transistores de avalancha la capacidad de cambiar corrientes muy altas en menos de un nanosegundo de y de . Los transistores no diseñados específicamente para tal propósito, pueden tener propiedades razonables de avalancha; por ejemplo el 82% de las muestras de cambio de alta velocidad de 15V del 2N2369 , fabricado en un periodo de 12 años , son capaces de generar pulsos de quiebre de avalancha con un de 350 ps o menos, usando una fuente voltaje de 90 V como el diseñador indica. (es)
- Un transistor de avalancha es un transistor de unión bipolar diseñado para la operación en su rango característico de colector de corriente/voltaje en colector-emisor , más allá de su voltaje de ruptura llamado región de Esta región caracterizada por el quiebre de avalancha, el cual es un fenómeno similar a la descarga de Townsend para los gases y . La operación en la región de es llamada operación en modo avalancha , esto da a los transistores de avalancha la capacidad de cambiar corrientes muy altas en menos de un nanosegundo de y de . Los transistores no diseñados específicamente para tal propósito, pueden tener propiedades razonables de avalancha; por ejemplo el 82% de las muestras de cambio de alta velocidad de 15V del 2N2369 , fabricado en un periodo de 12 años , son capaces de generar pulsos de quiebre de avalancha con un de 350 ps o menos, usando una fuente voltaje de 90 V como el diseñador indica. (es)
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- Jewell James Ebers (es)
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- A method of designing transistor avalanche circuits with application to a sensitive transistor oscilloscope (es)
- Physical principles of avalanche transistor pulse circuits (es)
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- Jacob (es)
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- Дьяконов (es)
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- Report SAND--93-0241C. A breakdown model for the bipolar transistor to be used with circuit simulators (es)
- Pulsed time-of-flight laser range finder techniques for fast, high precision measurement applications (es)
- Static and dynamic behaviour of transistors in the avalanche region (es)
- Расчет параметров импульсов емкостного релаксатора на лавинном транзисторе (es)
- Study of Transistor Switching Circuit Stability in the Avalanche Region (es)
- Alloyed Junction Avalanche Transistors (es)
- Avalanche Breakdown in Germanium (es)
- Avalanche transistor pulse generator (es)
- High-speed switching transistor handbook (es)
- IRE Solid-State Circuits Conference, Volume I (es)
- IRE Solid-State Circuits Conference, Volume II (es)
- Laser pulser for a time-of-flight laser radar (es)
- Nanosecond pulse techniques (es)
- On the trigger delay of avalanche transistors (es)
- Pulse, digital and switching waveforms (es)
- The taming of the slew (es)
- Transistor improvements using an IMPATT collector (es)
- Лавинные транзисторы и тиристоры. теория и применение (es)
- Avalanche multiplication in a compact bipolar transistor model for circuit simulation (es)
- Avalanche Breakdown Calculations for a Planar p-n Junction (es)
- Sweep Deflection Circuit Development Using Computer-Aided Circuit Design for the OMEGA Multichannel Streak Camera (es)
- Theory of a new three-terminal microwave power amplifier (es)
- Лавинные транзисторы и их применение в импульсных устройствах (es)
- An analysis of the dynamic behavior of switching circuits using avalanche transistors (es)
- Анализ статических вольтамперных характеристик диодов и транзисторов с учетом лавинного пробоя (es)
- SLAC-PUB-0669 - Increasing the Stability of Series Avalanche Transistor Circuits (es)
- A novel transistor model for simulating avalanche-breakdown effects in Si bipolar circuits (es)
- Direct Current-Voltage Characteristics of Transistors in the Avalanche Region (es)
- High voltage pulse generation using current mode second breakdown in a bipolar junction transistor (es)
- Report SAND--93-0241C. A breakdown model for the bipolar transistor to be used with circuit simulators (es)
- Pulsed time-of-flight laser range finder techniques for fast, high precision measurement applications (es)
- Static and dynamic behaviour of transistors in the avalanche region (es)
- Расчет параметров импульсов емкостного релаксатора на лавинном транзисторе (es)
- Study of Transistor Switching Circuit Stability in the Avalanche Region (es)
- Alloyed Junction Avalanche Transistors (es)
- Avalanche Breakdown in Germanium (es)
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- IRE Solid-State Circuits Conference, Volume I (es)
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- Laser pulser for a time-of-flight laser radar (es)
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- Лавинные транзисторы и тиристоры. теория и применение (es)
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- Theory of a new three-terminal microwave power amplifier (es)
- Лавинные транзисторы и их применение в импульсных устройствах (es)
- An analysis of the dynamic behavior of switching circuits using avalanche transistors (es)
- Анализ статических вольтамперных характеристик диодов и транзисторов с учетом лавинного пробоя (es)
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- Un transistor de avalancha es un transistor de unión bipolar diseñado para la operación en su rango característico de colector de corriente/voltaje en colector-emisor , más allá de su voltaje de ruptura llamado región de Esta región caracterizada por el quiebre de avalancha, el cual es un fenómeno similar a la descarga de Townsend para los gases y . La operación en la región de es llamada operación en modo avalancha , esto da a los transistores de avalancha la capacidad de cambiar corrientes muy altas en menos de un nanosegundo de y de . Los transistores no diseñados específicamente para tal propósito, pueden tener propiedades razonables de avalancha; por ejemplo el 82% de las muestras de cambio de alta velocidad de 15V del 2N2369 , fabricado en un periodo de 12 años , son capaces de (es)
- Un transistor de avalancha es un transistor de unión bipolar diseñado para la operación en su rango característico de colector de corriente/voltaje en colector-emisor , más allá de su voltaje de ruptura llamado región de Esta región caracterizada por el quiebre de avalancha, el cual es un fenómeno similar a la descarga de Townsend para los gases y . La operación en la región de es llamada operación en modo avalancha , esto da a los transistores de avalancha la capacidad de cambiar corrientes muy altas en menos de un nanosegundo de y de . Los transistores no diseñados específicamente para tal propósito, pueden tener propiedades razonables de avalancha; por ejemplo el 82% de las muestras de cambio de alta velocidad de 15V del 2N2369 , fabricado en un periodo de 12 años , son capaces de (es)
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