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- Intel TeraHertz fue un concepto de diseño para una nueva generación de transistores, presentado por Intel en 2001. Utilizando nuevos materiales, que lograrían un aumento dramático en la velocidad de operación de dicho transistor, eficiencia energética y reducción del calor producido.Utilizando materiales como el dióxido de zirconio. Los fundamentos en que Intel se basaba para el desarrollo de esta nueva tecnología eran:
* Un nuevo tipo de transistor llamado: "Transistor de sustrato agotado" (empobrecido).
* Compuerta dieléctrica de Alta-K (high k gate dielectric). Ambos desarrollos juntos, permitirían crear transistores capaces de operar a frecuencias del orden de los Terahertz. (es)
- Intel TeraHertz fue un concepto de diseño para una nueva generación de transistores, presentado por Intel en 2001. Utilizando nuevos materiales, que lograrían un aumento dramático en la velocidad de operación de dicho transistor, eficiencia energética y reducción del calor producido.Utilizando materiales como el dióxido de zirconio. Los fundamentos en que Intel se basaba para el desarrollo de esta nueva tecnología eran:
* Un nuevo tipo de transistor llamado: "Transistor de sustrato agotado" (empobrecido).
* Compuerta dieléctrica de Alta-K (high k gate dielectric). Ambos desarrollos juntos, permitirían crear transistores capaces de operar a frecuencias del orden de los Terahertz. (es)
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- Intel TeraHertz fue un concepto de diseño para una nueva generación de transistores, presentado por Intel en 2001. Utilizando nuevos materiales, que lograrían un aumento dramático en la velocidad de operación de dicho transistor, eficiencia energética y reducción del calor producido.Utilizando materiales como el dióxido de zirconio. Los fundamentos en que Intel se basaba para el desarrollo de esta nueva tecnología eran:
* Un nuevo tipo de transistor llamado: "Transistor de sustrato agotado" (empobrecido).
* Compuerta dieléctrica de Alta-K (high k gate dielectric). (es)
- Intel TeraHertz fue un concepto de diseño para una nueva generación de transistores, presentado por Intel en 2001. Utilizando nuevos materiales, que lograrían un aumento dramático en la velocidad de operación de dicho transistor, eficiencia energética y reducción del calor producido.Utilizando materiales como el dióxido de zirconio. Los fundamentos en que Intel se basaba para el desarrollo de esta nueva tecnología eran:
* Un nuevo tipo de transistor llamado: "Transistor de sustrato agotado" (empobrecido).
* Compuerta dieléctrica de Alta-K (high k gate dielectric). (es)
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- Intel TeraHertz (es)
- Intel TeraHertz (es)
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