This HTML5 document contains 12 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

PrefixNamespace IRI
dcthttp://purl.org/dc/terms/
category-eshttp://es.dbpedia.org/resource/Categoría:
n9http://es.dbpedia.org/resource/Corriente_de_saturación_(física)
wikipedia-eshttp://es.wikipedia.org/wiki/
dbohttp://dbpedia.org/ontology/
foafhttp://xmlns.com/foaf/0.1/
dbpedia-eshttp://es.dbpedia.org/resource/
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
owlhttp://www.w3.org/2002/07/owl#
provhttp://www.w3.org/ns/prov#
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
dbrhttp://dbpedia.org/resource/
n11http://es.wikipedia.org/wiki/Corriente_de_saturación?oldid=124568312&ns=
Subject Item
n9:
dbo:wikiPageRedirects
dbpedia-es:Corriente_de_saturación
Subject Item
wikipedia-es:Corriente_de_saturación
foaf:primaryTopic
dbpedia-es:Corriente_de_saturación
Subject Item
dbpedia-es:Corriente_de_saturación
rdfs:label
Corriente de saturación
rdfs:comment
La corriente de saturación, es aquella parte de la corriente inversa en un diodo semiconductor, causado por la difusión de la minoría de los portadores de regiones neutrales para el agotamiento de la región. Esta corriente es casi independiente de la tensión inversa. (Steadman 1993, 459) IS, la polarización inversa de saturación de la corriente para un ideal p–n del diodo, está dada por (Schubert 2006, 61): Donde:
dct:subject
category-es:Diodos
foaf:isPrimaryTopicOf
wikipedia-es:Corriente_de_saturación
dbo:wikiPageID
7791219
dbo:wikiPageRevisionID
124568312
dbo:wikiPageLength
1952
prov:wasDerivedFrom
n11:0
dbo:abstract
La corriente de saturación, es aquella parte de la corriente inversa en un diodo semiconductor, causado por la difusión de la minoría de los portadores de regiones neutrales para el agotamiento de la región. Esta corriente es casi independiente de la tensión inversa. (Steadman 1993, 459) IS, la polarización inversa de saturación de la corriente para un ideal p–n del diodo, está dada por (Schubert 2006, 61): Donde: e es la carga elemental.A es el área de sección transversal.Dp,n son los coeficientes de difusión de huecos y electrones, respectivamente,ND, son el donante y aceptor de las concentraciones en el lado n y lado p, respectivamente,ni es el valor intrínseco del portador de la concentración en el material semiconductor,el portador 'viviente' de huecos y electrones, respectivamente. Debe tenerse en cuenta que la saturación de la corriente no es una constante para un determinado dispositivo, sino que varía con la temperatura; esta variación es la dominante terminal en el coeficiente de temperatura para un diodo. Una regla común es que se duplica por cada 10 °C de aumento en la temperatura. (Bogart 1986, 40)
Subject Item
dbr:Saturation_current
owl:sameAs
dbpedia-es:Corriente_de_saturación