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- Un transistor de efecto de campo de aleta (FinFET) es un dispositivo de múltiple puerta, un MOSFET (transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal) construido sobre un sustrato donde la puerta se coloca en dos, tres o cuatro lados del canal o envuelta alrededor el canal, formando una estructura de doble puerta. A estos dispositivos se les ha dado el nombre genérico "finfets" porque la región fuente / drenaje forma aletas en la superficie del silicio. Los dispositivos FinFET tienen tiempos de conmutación significativamente más rápidos y una densidad de corriente más alta que la tecnología plana CMOS (semiconductor de óxido de metal complementario). FinFET es un tipo de transistor no plano o transistor "3D". Es la base para la fabricación moderna de dispositivos semiconductores nanoelectrónicos. Los microchips que utilizan puertas FinFET se comercializaron por primera vez en la primera mitad de la década de 2010, y se convirtieron en el diseño de puerta dominante en los nodos de proceso de 14 nm, 10 nm y 7 nm. (es)
- Un transistor de efecto de campo de aleta (FinFET) es un dispositivo de múltiple puerta, un MOSFET (transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal) construido sobre un sustrato donde la puerta se coloca en dos, tres o cuatro lados del canal o envuelta alrededor el canal, formando una estructura de doble puerta. A estos dispositivos se les ha dado el nombre genérico "finfets" porque la región fuente / drenaje forma aletas en la superficie del silicio. Los dispositivos FinFET tienen tiempos de conmutación significativamente más rápidos y una densidad de corriente más alta que la tecnología plana CMOS (semiconductor de óxido de metal complementario). FinFET es un tipo de transistor no plano o transistor "3D". Es la base para la fabricación moderna de dispositivos semiconductores nanoelectrónicos. Los microchips que utilizan puertas FinFET se comercializaron por primera vez en la primera mitad de la década de 2010, y se convirtieron en el diseño de puerta dominante en los nodos de proceso de 14 nm, 10 nm y 7 nm. (es)
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- Un transistor de efecto de campo de aleta (FinFET) es un dispositivo de múltiple puerta, un MOSFET (transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal) construido sobre un sustrato donde la puerta se coloca en dos, tres o cuatro lados del canal o envuelta alrededor el canal, formando una estructura de doble puerta. A estos dispositivos se les ha dado el nombre genérico "finfets" porque la región fuente / drenaje forma aletas en la superficie del silicio. Los dispositivos FinFET tienen tiempos de conmutación significativamente más rápidos y una densidad de corriente más alta que la tecnología plana CMOS (semiconductor de óxido de metal complementario). (es)
- Un transistor de efecto de campo de aleta (FinFET) es un dispositivo de múltiple puerta, un MOSFET (transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal) construido sobre un sustrato donde la puerta se coloca en dos, tres o cuatro lados del canal o envuelta alrededor el canal, formando una estructura de doble puerta. A estos dispositivos se les ha dado el nombre genérico "finfets" porque la región fuente / drenaje forma aletas en la superficie del silicio. Los dispositivos FinFET tienen tiempos de conmutación significativamente más rápidos y una densidad de corriente más alta que la tecnología plana CMOS (semiconductor de óxido de metal complementario). (es)
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