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- 90 nanómetros se refiere a una tecnología de proceso de semiconductores alcanzada entre los años 2003 y 2004 por parte de las principales empresas del sector, tales como las estadounidenses Intel, AMD, Infineon, Texas Instruments, IBM y la taiwanesa TSMC. Asimismo, la tecnología de proceso de 90 nanómetros reflejó una tendencia histórica, la cual estipula que la densidad (en términos prácticos, el número de transistores) de los microprocesadores, o en general de los circuitos integrados crece a un ritmo aproximado de un 70% cada 2 o 3 años (básicamente manteniendo el mismo tamaño del núcleo del mismo). Los haces láser de 193 nanómetros de longitud de onda fueron introducidos por varias (pero no todas) las compañías del sector para realizar el estampados litográficos de las capas críticas. Los temas de producción relacionados con esta transición (debido al uso de nuevas fotoresistencias) se reflejaron en los altos costos asociados con esta transición. Además, lo que fue aún más significativo, las obleas (wafers) de 300 milímetros de diámetro, las cuales al ser 2,25 veces más grandes que las anteriores de 200 mm naturalmente permiten extraer bastantes más chips o microprocesadores de cada una de ellas, se convirtieron en el estándar del mercado, (es)
- 90 nanómetros se refiere a una tecnología de proceso de semiconductores alcanzada entre los años 2003 y 2004 por parte de las principales empresas del sector, tales como las estadounidenses Intel, AMD, Infineon, Texas Instruments, IBM y la taiwanesa TSMC. Asimismo, la tecnología de proceso de 90 nanómetros reflejó una tendencia histórica, la cual estipula que la densidad (en términos prácticos, el número de transistores) de los microprocesadores, o en general de los circuitos integrados crece a un ritmo aproximado de un 70% cada 2 o 3 años (básicamente manteniendo el mismo tamaño del núcleo del mismo). Los haces láser de 193 nanómetros de longitud de onda fueron introducidos por varias (pero no todas) las compañías del sector para realizar el estampados litográficos de las capas críticas. Los temas de producción relacionados con esta transición (debido al uso de nuevas fotoresistencias) se reflejaron en los altos costos asociados con esta transición. Además, lo que fue aún más significativo, las obleas (wafers) de 300 milímetros de diámetro, las cuales al ser 2,25 veces más grandes que las anteriores de 200 mm naturalmente permiten extraer bastantes más chips o microprocesadores de cada una de ellas, se convirtieron en el estándar del mercado, (es)
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- 90 nanómetros se refiere a una tecnología de proceso de semiconductores alcanzada entre los años 2003 y 2004 por parte de las principales empresas del sector, tales como las estadounidenses Intel, AMD, Infineon, Texas Instruments, IBM y la taiwanesa TSMC. Los haces láser de 193 nanómetros de longitud de onda fueron introducidos por varias (pero no todas) las compañías del sector para realizar el estampados litográficos de las capas críticas. (es)
- 90 nanómetros se refiere a una tecnología de proceso de semiconductores alcanzada entre los años 2003 y 2004 por parte de las principales empresas del sector, tales como las estadounidenses Intel, AMD, Infineon, Texas Instruments, IBM y la taiwanesa TSMC. Los haces láser de 193 nanómetros de longitud de onda fueron introducidos por varias (pero no todas) las compañías del sector para realizar el estampados litográficos de las capas críticas. (es)
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